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2dsemiconductors公司簡(jiǎn)介

更新時(shí)間:2024-04-10      點(diǎn)擊次數(shù):1071

2dsemiconductors

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鏈接:https://www.2dsemiconductors。。com/

2D semiconductors是高質(zhì)量2D層狀晶體、2D解決方案和2D粉末的世界領(lǐng)x制造商。所有產(chǎn)品都是在美國(guó)其自己的工廠設(shè)計(jì)、制造和合成的。采用高科技技術(shù),如HR-TEM、STM、拉曼、光致發(fā)光、XRD、Omega搖擺曲線測(cè)量、電子傳輸、SIMSSEM由先進(jìn)的材料表征技術(shù)提供動(dòng)力,使2D semiconductors能夠提供可靠、高質(zhì)量和獨(dú)t的材料。2D semiconductors的理念是達(dá)到科學(xué)可靠性的w美,大單晶疇尺寸,沒(méi)有隱藏相,沒(méi)有嵌入的非晶段,沒(méi)有雜質(zhì)(6N=99.9999%純度)半導(dǎo)體級(jí)材料,高發(fā)光,可靠的激子復(fù)合時(shí)間。

主要產(chǎn)品線

一、石墨

 石墨和石墨烯相關(guān)的產(chǎn)品

二、3D量子晶體

該類(lèi)別包含具有獨(dú)t物理性質(zhì)的大塊(非層狀)3D量子晶體,涉及Weyl物理學(xué)、Dirac物理學(xué)、拓?fù)洳牧?、量子霍爾效?yīng)等。

三、2D MAXENE MXENE

MAXenes類(lèi)似于石墨和MoS2MAX相是層狀的,并且具有通式:Mn+1AXn,(MAX),其中n=1-3,M是早期過(guò)渡金屬,A是非金屬元素,X是碳和/或氮。2D semiconductors推出的s界上第一款電子和光學(xué)級(jí)商用層狀MAXene相材料。MAX使用專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的技術(shù)合成的,包括大型反應(yīng)器化學(xué)氣相沉積,以產(chǎn)生世界上z高的純度(保證99.999%或更高)、電子和光學(xué)級(jí)以及層狀MAX相。

四、2D MBE單層

分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)生長(zhǎng)被認(rèn)為是外延合成高質(zhì)量光學(xué)、電子、量子和熱級(jí)材料的最復(fù)雜技術(shù)之一。將非常少量的原子(每秒低至5個(gè)原子)發(fā)送到原子平坦的襯底上以達(dá)到高結(jié)晶度的能力。整個(gè)合成在低至1E-9托的壓力下進(jìn)行,以產(chǎn)生高質(zhì)量和純材料。目前,2D semiconductors提供MoS2、MoSe2WS2WSe2單層等多種MBE材料

五、2D CVD單層

2D semiconductors在各種不同類(lèi)型的底上提供MoS2、MoSe2、WSe2、WS2、SnS2SnSe2、ReS2ReSe2的單層,包括藍(lán)寶石、石英、SiO2/Si、PET和(由客戶(hù))設(shè)計(jì)的

六、2D絕緣體

七、2D半導(dǎo)體

2D semiconductors提供各種大尺寸、高質(zhì)量、電子和光學(xué)級(jí)的層狀vdW晶體。該類(lèi)別包含2D半導(dǎo)體vdW單晶,其帶隙值從紅外(IR)到紫外(UV)不等。2D semiconductors的晶體是通過(guò)各種不同的方法合成的,包括化學(xué)氣相傳輸(CVT)通量區(qū)技術(shù)、浮動(dòng)區(qū)技術(shù)和其它的一些專(zhuān)li技術(shù)。

八、2D磁體

九、2D超導(dǎo)體

大尺寸、高質(zhì)量、電子和光學(xué)級(jí)層狀vdW晶體的無(wú)缺陷單晶。該類(lèi)別包含2D金屬、半金屬、超導(dǎo)或CDW單晶。

十、2D粉末

世界上d一批單層粉末

下圖為2D semiconductors公司授權(quán)上海起發(fā)實(shí)驗(yàn)試劑有限公司作為中國(guó)區(qū)域代理的授權(quán)書(shū)。

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2D semiconductors熱賣(mài)產(chǎn)品

貨號(hào)

產(chǎn)品名稱(chēng)

規(guī)格

品牌

BLK-WS2

Tungsten Disulfide (WS2)

ea

2D semiconductors

BLK-BA

Black Arsenic

ea

2D semiconductors

BLK-hBN-HPA

Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

ea

2D semiconductors

BLK-MoTe2

Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2)

ea

2D semiconductors

BLK-NiPS3

NiPS3 Crystal

ea

2D semiconductors

BLK-ZRS2

Zirconium Disulfide (ZrS2)

ea

2D semiconductors

BLK-ZrSe2

ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

ea

2D semiconductors

BLK-ZrTe2

ZrTe2 Crystal

ea

2D semiconductors

CVD-MoS2-ML-S

Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

ea

2D semiconductors

CVD-WS2-ML-SiO2Si

WS2 on SiO2/Si

ea

2D semiconductors

kish-graphite

Kish graphite

ea

2D semiconductors

BLK-WS2

Tungsten Disulfide (WS2)

ea

2D semiconductors

BLK-hBN-HPA

Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

ea

2D semiconductors

BLK-MoS2-SYN

Synthetic Molybdenum Disulfide (MoS2)

ea

2D semiconductors

TransferredCVD

Transferred CVD grown monolayers

ea

2D semiconductors

BLK-hBN-LG

h-BN (large size)

ea

2D semiconductors

BLK-MoTe2

Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2)

ea

2D semiconductors





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